Компания SK hynix разработала первый в мире модуль оперативной памяти DDR4 ёмкостью 128 Гбайт, что в два раза больше по сравнению с изделиями, которые южнокорейский производитель продаёт на данный момент. Новинка предназначена для серверных систем.
Модуль ОЗУ построен на 8-гигабитных чипах DDR4, изготовленных по нормам 20 нм с использованием технологии межслойных соединений (Through-Silicon Via, TSV). Изделие работает при напряжении 1,2 В, тогда как у продуктов DDR3 показатель составляет 1,35 В.
Вложение 1438
Представленная «оперативка» поддерживает частоту 2133 МГц по 64-битному интерфейсу ввода/вывода и обладает пропускной способностью на уровне 17 Гбайт/с.
SK Hynix планирует приступить к серийному производству 128-гигабайтных модулей памяти в первой половине 2015 года.
Помимо SK hynix, разработкой памяти DDR4 также занимаются компании Samsung и Crucial. Однако серверные процессоры с поддержкой такой памяти появятся лишь к концу 2014 года. На рынке ПК это произойдёт в 2015 году.
Вложение 1439
Аналитик Майк Ховард (Mike Howard) из IHS говорит, что модуль на 128 Гбайт, анонсированный SK hynix, является нишевым продуктом, а стандарт DDR4 станет мейнстримом лишь в 2016 году. Согласно прогнозу аналитиков Gartner, в ближайшие четыре года объём рынка серверной памяти DRAM будет увеличиваться в среднем на 37 % в год.
Напомним, что в начале года ADATA представила модули памяти DDR4-2133 объёмом 4, 6 и 16 Гбайт. Аналогичный анонс в марте провела и Micron.
Память DDR4 примерно в два раза производительнее по сравнению с DDR3, потребляет на 20-40% меньше энергии, требует меньшее напряжение питания и позволяет вмещать в два раза больше чипов памяти на один модуль.