Твердотельные накопители OCZ Arc 100
Компания OCZ еще, видимо, только планирует официальную премьеру твердотельных накопителей Arc 100, но SSD этой линейки уже засветились как минимум в двух онлайновых магазинах.
http://www.ixbt.com/short/images/201...100_SSD_01.jpg
Скупые данные «магазинного» описания говорят о том, что в SSD используется контроллер Indilinx Barefoot 3 M10 и 19-нанометровая память MLC NAND Toshiba. Связка из таких же компонентов используется в накопителях OCZ Vertex 460. Однако по скоростным показателям и производительности накопители линейки Arc 100 отстают от Vertex 460: максимальные скорости последовательного чтения и записи достигают 490 и 430 МБ/с соответственно (Vertex 460 — до 550 МБ/с), производительность при случайном чтении и записи одинакова — 80 000 IOPS (Vertex 460 — до 95 000 IOPS).
OCZ Arc 100 представлена тремя моделями — объемом 120, 240 и 480 ГБ. Все они выполнены в металлических корпусах типоразмера 2,5 дюйма толщиной 7 мм и рассчитаны на подключение по интерфейсу SATA 6 Гбит/с.
Источники:
Amazon.com
- - - Добавлено - - -
Специалистами HGST создан самый быстрый в мире твердотельный накопитель
На мероприятии Flash Memory Summit 2014 в Сан-Хосе компания HGST, являющаяся дочерним предприятием Western Digital, представила новую архитектуру твердотельных накопителей. По словам разработчиков, продемонстрированный накопитель является самым быстрым в мире и дает представление, какими будут SSD будущего. В разработке нашел применение новый протокол, обеспечивающий минимальные задержки, и энергонезависимая память нового поколения.
Накопитель, использующий для передачи данных интерфейс PCIe, демонстрирует производительность 3 млн IOPS на операциях с произвольным доступом блоками по 512 байта. Задержка доступа при чтении составляет всего 1,5 мкс. Такие показатели на порядок превосходят возможности существующих архитектур SSD и флэш-памяти типа NAND.
В новом SSD используются компоненты памяти с эффектом изменения фазового состояния (phase-change memory, PCM) плотностью 1 Гбит. Память PCM существенно превосходит флэш-память типа NAND по скорости чтения.
Чтобы полностью раскрыть потенциал новой памяти, специалистам HGST пришлось разработать протокол интерфейса с малыми задержками, учитывающий особенности используемой технологии памяти. Микросхемы памяти, изготовленные по нормам 45 нм, и контроллер размещены на карте расширения полной высоты, полной длины c интерфейсом PCIe x4 Gen 2. К сожалению, объем прототипа накопителя производитель не называет. Как не говорит о сроках появления подобных накопителей на рынке и их цене.
Источник:
HGST