Показано с 1 по 3 из 3
Intel и Micron представили революционную энергонезависимую память 3D Xpoint, которая в 1000 раз быстрее NAND
Вчера компании Intel и Micron представили новую энергонезависимую память 3D Xpoint — первую действительно новую категорию памяти за последние 25 лет, если верить сайту Intel.
По заявлению разработчиков, 3D Xpoint быстрее памяти NAND на три порядка (в 1000 раз). При этом она настолько же долговечнее, а также в 10 раз превосходит по плотности обычную память DRAM.
В первую очередь Intel и Micron позиционируют новую разработку в качестве решений для систем, работающих с большими объёмами данных (центры обработки данных и прочее). Но, если верить пресс-релизу, 3D Xpoint доберётся и до потребительского сегмента.Архитектура для новой памяти была разработана с нуля без использования транзисторов. Структуру 3D Xpoint, как утверждает Intel, можно представить в виде своеобразной шахматной доски, на которой ячейки памяти располагаются на пересечении разрядной шины и числовой шины (отсюда и название памяти). Это позволяет считывать и записывать данные небольшими объёмами, что повышает эффективность работы памяти.
Помимо этого, архитектура позволяет реализовать многослойную структуру, что повышает плотность памяти. В частности, первое поколение памяти 3D Xpoint позволяет создавать микросхемы плотностью 128 Гбит, включающие в себя два слоя по 64 Гбит. В дальнейшем технология будет совершенствоваться, что позволит создавать ещё более плотную память с большим количеством слоёв.
Производство памяти 3D Xpoint начнётся уже в текущем году, а первые устройства на основе данной технологии можно ожидать на рынке в начале следующего. Скорее всего, в первую очередь это будут продукты для серверного сегмента. О стоимости и о техпроцессе производства пока ничего не сообщается.
Источник: Intel
Toshiba представила флэш-память NAND TSV с рекордным количеством слоев
Вслед за анонсом флэш-памяти BiCS с возросшей плотностью, компания Toshiba представила новое поколение памяти NAND с использованием межслойных соединений Through Silicon Via (TSV). Новые микросхемы флэш-памяти стали первыми в мире, в которых насчитывается 16 расположенных вертикально кристаллов.
Представлено два прототипа микросхем NAND объемом 128 ГБ (8 слоев) и 256 ГБ (16 слоев) с интерфейсом Toggle DDR. Их габариты равны 14 х 18 х 1,35 мм, высота микросхемы емкостью 256 ГБ выросла до 1,9 мм. По словам Toshiba, высокая скорость операций ввода/вывода в 1 Гбит/с сочетается с низковольтным потреблением: 1,8 В для ядер памяти и 1,2 В для схем ввода/вывода, обеспечивая 50-процентное снижение энергопотребления в сравнении с аналогами компании Toshiba.Новинки должны найти применение в устройствах, где требуется высокое соотношение производительности и энергопотребления, включая корпоративные SSD.
Источник: Toshiba
Эту тему просматривают: 3 (пользователей: 0 , гостей: 3)
